【学术预告】碳化硅半导体材料研究进展-德州学院

【学术预告】碳化硅半导体材料研究进展

发布时间：2025-09-02

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报告时间：2025年9月3日（周三）下午3:30

报告地点：厚德楼二楼报告厅

报告题目：碳化硅半导体材料研究进展

报告人：张福生

专家简介：

张福生，博士，副教授，任职齐鲁工业大学（山东省科学院）。主要从事宽禁带半导体以及超宽禁带（SiC、GaN、AlN等）半导体材料的生长、加工以及缺陷研究工作。具备自主设计和搭建高温PVT法单晶生长炉的能力，并能通过模拟计算内部温场分布和生长流场状态。熟悉多种半导体材料粗加工及微纳加工技术。主持参与项目：国家重点基础研究发展计划（973计划）项目2项，国家高技术研究发展计划（863计划）项目1项，国家自然科学基金项目1项，主持中央引导地方科技发展专项资金项目1项，河北省重点研发项目1项，国家重点实验室计划项目1项。发表SCI和EI学术论文13篇，申请国家发明专利15项，授权12项。获得河北省“三三三人才工程”第三层次人选；获得河北省“科技型中小企业创新英才”称号；获得市“科技进步一等奖”1项；获得市“科技进步二等奖”1项。

主办单位：

山东省硅单晶半导体材料与技术重点实验室

德州学院化学化工学院

德州市工业和信息化局

德州市半导体协会

德州学院科学技术处

（作者：化学化工学院马恩广供稿审核人：王新芳）